Invest-rating.ru
Поиск

ПОЧТИ НИЧТО

Обновлено

Случилось то, о чем так долго говорили футурологи. Появилось первое изделие, созданное по нанотехнологии, которой принадлежит будущее. И это изделие – компьютерный чип корпорации “Интел”. Он сразу стал рекордсменом. Самый быстродействующий кремниевый транзистор с элементами размером 20 нанометров (одна миллиардная часть метра). Это достижение делает возможным создание уже в этом десятилетии микропроцессоров, содержащих миллиард транзисторов
Существует ли предел быстродействия компьютеров? Появление самого быстрого кремниевого транзистора продемонстрировало, что барьеров для продолжения действия основополагающего в электронике закона Мура (увеличение быстродействия микропроцессоров в 2 раза каждые 18 месяцев) до конца этого десятилетия не предвидится. Новые транзисторы с элементами размером всего 20 нанометров позволят создать примерно к 2007 г. микропроцессоры, которые будут содержать порядка 1 миллиарда транзисторов и работать на частоте до 20 Гигагерц при напряжении питания менее 1 вольта. О сенсационном достижении доложено на конференции инженеров и ученых, занимающихся полупроводниками в японском городе Киото.

– Эти исследования демонстрируют, что мир переходит в эпоху нанотехнологий в области полупроводников, – считает доктор Джеральд Марсик. – Успехи в области транзисторов показывают, что закон Мура будет справедлив как минимум еще три поколения технологий.

Многие исследователи прежде говорили о том, что в будущем нанотехнология вытеснит полупроводниковую. Выяснилось, что эти направления могут дополнять друг друга. “Мы не достигли барьера на пути сокращения размеров кремниевых транзисторов, – считает член ученого совета “Интел” доктор Роберт Чу. – Темпы развития полупроводниковых технологий растут, а не замедляются”.

20-нанометровые транзисторы на 30% меньше и на 25% быстрее самых быстродействующих современных транзисторов. Чем меньше транзистор, тем быстрее он работает, а быстрые транзисторы – это основа мощных микропроцессоров, которые используются в компьютерах, в других “интеллектуальных” устройствах. Такие транзисторы составят основу нового поколения процессоров 45 нм, которые “Интел” планирует внедрить в 2007 г.

Новые транзисторы работают, как вентили, управляющие потоками электронов в микросхеме. Они могут включаться и выключаться более триллиона раз в секунду. Построенные на их основе микропроцессоры смогут выполнять 4 миллиона операций за то время, которое требуется пуле, чтобы пролететь 3 сантиметра.

Толщина пленки оксида, используемой для формирования затвора этих транзисторов, составляет всего лишь три атомарных слоя. Это и есть суть нанотехнологий, которые обещают научную революцию XXI века. Чтобы получить толщину бумажного листа, пришлось бы уложить друг на друга более 100 тысяч таких слоев оксидной пленки.

Экспериментальные транзисторы, значительно опережающие современные технологии, имеют ту же физическую структуру и изготовлены из тех же материалов, что и компьютерные чипы. При внедрении в промышленное производство планируется использовать для формирования оксидной пленки затвора другой тип материалов.